即便环境中存在水汽,水汽在侵入时也会聚集在防水凹槽,不会进入到肖特基结,确保肖特基二极管不会失效。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图示出了本申请的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为本申请实施例提供的一种肖特基二极管的结构示意图之一;图2为本申请实施例提供的一种肖特基二极管的结构示意图之二;图3为本申请实施例提供的制造图1中肖特基二极管的方法流程示意图;图4a-图4f为本申请实施例提供的制造图1中肖特基二极管的制造工艺示意图;具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本申请的一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围,而是表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例。上海藤谷电子科技有限公司为您提供二极管,有想法的不要错过哦!广东数字二极管价格对比
本发明实施例通过在n型ge层淀积氮化硅层产生压应力从而使n型ge层内产生压应力,n型ge层内通过施加压应力引起能带结构的调制,反映在能带图上就是导带底的曲率发生改变,即改变了导带电子的有效质量,引起各散射机制中散射概率的改变,进而提高了n型ge层内的电子迁移率。进一步地,将ge层中引入应力的方式还有通过掺杂和热失配等,与通过掺杂和热失配等引入应变的方式相比而言,氮化硅层致ge层应变的工艺更加简单,且不会因为晶格失配产生大量缺陷,故而能够得到质量更好的压应变ge层,因此可以提高制备的肖特基二极管器件的性能。具体地,在ge层002中的应力大小与压应力层003的制备条件相关,具体地,其他工艺条件不变的情况下,压应力层003反应温度越高,压应力层003使ge层002中的产生的应力越大,且呈一定的线性关系。在其他工艺条件不变的情况下,压应力层003使ge层002中的产生的应力越小。在其他工艺条件不变的情况下,低频功率越大,形成压应力层003使ge层002中的产生的应力越大。设fwg为氮化硅层使所述ge层002中产生的压应力大小,则fwg和温度tp的关系满足:fwg=×fwg的单位为pa,twg的单位为摄氏度。具体地,在其他工艺条件不变的情况下,压强越高。上海私人二极管二极管,就选上海藤谷电子科技有限公司,让您满意,有想法可以来我司咨询!
锗管Is=30~300μA。比较高工作频率Fm:指二极管能保持良好工作特性的比较高工作频率。不同用途的二极管差异01整流二极管大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流(Rectifying)”功能,将交流电能转变为直流电能。面接触结构,多采用硅材料,能承受较大的正向电流和较高的反向电压。性能较稳定,但因 大,不宜工作在高频电路中,所以不能作为检波管使用。有金属和塑料封装。02检波二极管检波二极管是用于把叠加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。锗材料点接触型、工作频率可达400MHz,正向压降小,结电容小,检波效率高,频率特性好,为2AP型。类似点触型那样检波用的二极管,除用于检波外,还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检波的特性一致性好的两只二极管组合件。多采用玻璃封装或陶瓷外壳封装,以获得良好的高频特性。03开关二极管开关二极管是半导体二极管的一种,是为在电路上进行“开”、“关”而特殊设计制造的一类二极管。它由导通变为截止或由截止变为导通所需的时间比一般二极管短。开关二极管的势垒电容一般极小,这就相当于堵住了势垒电容这条路。
本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现:本发明实施例提供了一种用于整流电路的肖特基二极管,包括:衬底层001、ge层002、压应力层003、金属电极a1、第二金属电极a2,其中,所述ge层002、所述氮化硅层依次层叠设置于所述衬底层001的表面,所述压应力层003设置有电极孔,所述金属电极a1设置于所述ge层002上且设置于所述电极孔中,所述第二金属电极a2设置于所述衬底层001与所述表面相对设置的第二表面。在本发明的一个实施例中,所述ge层002为n型ge层,掺杂浓度为×1014~2×1014cm-3。在本发明的一个实施例中,所述压应力层003为氮化硅层。在本发明的一个实施例中,所述氮化硅层为si3n4膜。在本发明的一个实施例中,所述压应力层003使所述ge层002内产生压应力,所述ge层002中的压应力的大小与制备所述压应力层003的反应温度相关,其中,所述反应温度越高,所述ge层002中的压应力越大。在本发明的一个实施例中,所述ge层002的厚度为700~800nm。在本发明的一个实施例中,所述衬底层001为n型单晶ge层。在本发明的一个实施例中,所述金属电极a1为钨电极。在本发明的一个实施例中,所述电极孔贯穿所述压应力层003且设置于所述压应力层003中部。上海藤谷电子科技有限公司致力于提供二极管,期待您的光临!
没有水流流过。上海衡丽图3二极管的类比以及IV曲线以上,右图是二极管为重要的IV曲线,基本上用到所有的二极管都需要重点开此图,从上图可以清楚看出,不管二极管的正向电流或者反向电压都不能超过额定值,否则会损坏。2.整流二极管利用二极管单向导电性,可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。图4AC/DC转换电路简图3.续流二极管在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起续流作用,这个功能非常实用。在图5中,开关A和开关B分别利用PFET和NFET开关实现,构成一个同步降压调节器。“同步”一词表示将一个FET用作低端开关。用肖特基二极管代替低端开关的降压调节器称为“异步”(或非同步)型。处理低功率时,同步降压调节器更有效,因为FET的压降低于肖特基二极管,主要由Rds(on)决定。然而,当电感电流达到0时,如果底部FET未释放,同步转换器的轻载效率会降低,而且额外的控制电路会提高IC的复杂性和成本。肖特基二极管可以用作续流二极管,肖特基的PN结比较特殊,这使它具有非常小的结电容,存储电荷很少,因此这种结具有非常快的开关速度,可以用于高速嵌位。肖特基二极管特长是:开关速度非常快,反向恢复时间特别短。因此。上海藤谷电子科技有限公司是一家专业提供二极管的公司,有需求可以来电咨询!湖南功率二极管制品价格
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但若重复施加,这些单个的脉冲能量积累起来,在某些情况下,也会超过TVS器件可承受的脉冲能量。因此,电路设计必须在这点上认真考虑和选用TVS器件,使其在规定的间隔时间内,重复施加脉冲能量的累积不至超过TVS器件的脉冲能量额定值。6.电容CPPTVS的电容由硅片的面积和偏置电压来决定,电容在零偏情况下,随偏置电压的增加,该电容值呈下降趋势。电容的大小会影响TVS器件的响应时间。7.漏电流IR当比较大反向工作电压施加到TVS上时,TVS管有一个漏电流IR,当TVS用于高阻抗电路时,这个漏电流是一个重要的参数。:按极性可分为:单极性和双极性两种;按用途可分为:通用型和型;按封装和内部结构可分为:轴向引线二极管、双列直插TVS阵列、贴片式和大功率模块等。轴向引线的产品峰值功率可达400W、500W、600W、1500W和5000W。其中大功率的产品主要用在电源馈线上,低功率产品主要用在高密度安装场合。对于高密度安装的场合,也可以选择双列直插和表面贴装等封装形式。广东数字二极管价格对比
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